MTD6P10E
- Modèle de produit:
- MTD6P10E
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- MOSFET P-CH 100V 6A DPAK
- État sans plomb / État RoHS:
- Contient du plomb / Non conforme à RoHS
- quantité disponible:
- 17248 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- MTD6P10E.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±15V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | DPAK |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 660 mOhm @ 3A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 1.75W (Ta), 50W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Autres noms: | MTD6P10EOS |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 840pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 22nC @ 10V |
| type de FET: | P-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 100V |
| Description détaillée: | P-Channel 100V 6A (Tc) 1.75W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount DPAK |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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