MTD6P10E
- Modelo do Produto:
- MTD6P10E
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET P-CH 100V 6A DPAK
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Contém chumbo / RoHS não compatível
- Quantidade disponível:
- 17248 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de dados:
- MTD6P10E.pdf
Introdução
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Especificações
| Condição | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±15V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | DPAK |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 660 mOhm @ 3A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 1.75W (Ta), 50W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Outros nomes: | MTD6P10EOS |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 840pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 22nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 100V |
| Descrição detalhada: | P-Channel 100V 6A (Tc) 1.75W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount DPAK |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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