JANTXV1N6629US
Modèle de produit:
JANTXV1N6629US
Fabricant:
Microsemi
La description:
DIODE GEN PURP 800V 1.4A D5B
État sans plomb / État RoHS:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
quantité disponible:
16180 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
JANTXV1N6629US.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tension - directe (Vf) (max) @ Si:1.4V @ 1.4A
Tension - inverse (Vr) (max):800V
Package composant fournisseur:D-5B
La vitesse:Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries:-
Temps de recouvrement inverse (trr):60ns
Emballage:Bulk
Package / Boîte:SQ-MELF, E
Autres noms:JANTXV1N6629US-MIL
Température d'utilisation - Jonction:-65°C ~ 150°C
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:12 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Type de diode:Standard
Description détaillée:Diode Standard 800V 1.4A Surface Mount D-5B
Courant - fuite, inverse à Vr:2µA @ 800V
Courant - Rectifié moyenne (Io):1.4A
Capacité à Vr, F:40pF @ 10V, 1MHz
Email:[email protected]

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