JANTXV1N6629US
Modelo do Produto:
JANTXV1N6629US
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
DIODE GEN PURP 800V 1.4A D5B
Status sem chumbo / Status RoHS:
Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade disponível:
16180 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
JANTXV1N6629US.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:1.4V @ 1.4A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):800V
Embalagem do dispositivo fornecedor:D-5B
Velocidade:Fast Recovery = 200mA (Io)
Série:-
Inversa de tempo de recuperação (trr):60ns
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:SQ-MELF, E
Outros nomes:JANTXV1N6629US-MIL
Temperatura de Operação - Junção:-65°C ~ 150°C
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo Diode:Standard
Descrição detalhada:Diode Standard 800V 1.4A Surface Mount D-5B
Atual - dispersão reversa @ Vr:2µA @ 800V
Atual - rectificada média (Io):1.4A
Capacitância @ Vr, F:40pF @ 10V, 1MHz
Email:[email protected]

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