IPS65R1K0CEAKMA2
- Modèle de produit:
- IPS65R1K0CEAKMA2
- La description:
- CONSUMER
- État sans plomb / État RoHS:
- Conforme à RoHS
- quantité disponible:
- 24877 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- IPS65R1K0CEAKMA2.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 200µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | PG-TO251-3 |
| Séries: | CoolMOS™ CE |
| Statut RoHS: | RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1 Ohm @ 1.5A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 68W (Tc) |
| Package / Boîte: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Autres noms: | SP001724356 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 328pF @ 100V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 15.3nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 650V |
| Description détaillée: | N-Channel 650V 7.2A (Tc) 68W (Tc) Through Hole PG-TO251-3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 7.2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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