IPS65R1K0CEAKMA2
- Modello di prodotti:
- IPS65R1K0CEAKMA2
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- CONSUMER
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- A norma RoHS
- quantità disponibile:
- 24877 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- IPS65R1K0CEAKMA2.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.5V @ 200µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO251-3 |
| Serie: | CoolMOS™ CE |
| Stato RoHS: | RoHS Compliant |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 1 Ohm @ 1.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 68W (Tc) |
| Contenitore / involucro: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Altri nomi: | SP001724356 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 328pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 15.3nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 650V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 650V 7.2A (Tc) 68W (Tc) Through Hole PG-TO251-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 7.2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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