IPB12CNE8N G
IPB12CNE8N G
Modèle de produit:
IPB12CNE8N G
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH 85V 67A TO263-3
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
28629 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
IPB12CNE8N G.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 83µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:D²PAK (TO-263AB)
Séries:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:12.9 mOhm @ 67A, 10V
Dissipation de puissance (max):125W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms:IPB12CNE8N G-ND
IPB12CNE8NG
SP000096451
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:4340pF @ 40V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:64nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):85V
Description détaillée:N-Channel 85V 67A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:67A (Tc)
Email:[email protected]

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