HGTP3N60A4D
- Modèle de produit:
- HGTP3N60A4D
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- IGBT 600V 17A 70W TO220AB
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 23681 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- 1.HGTP3N60A4D.pdf2.HGTP3N60A4D.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 600V |
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic: | 2.7V @ 15V, 3A |
| Condition de test: | 390V, 3A, 50 Ohm, 15V |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C: | 6ns/73ns |
| énergie de commutation: | 37µJ (on), 25µJ (off) |
| Package composant fournisseur: | TO-220AB |
| Séries: | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 29ns |
| Puissance - Max: | 70W |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-220-3 |
| Autres noms: | HGTP3N60A4D_NL HGTP3N60A4D_NL-ND |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type d'entrée: | Standard |
| type de IGBT: | - |
| gate charge: | 21nC |
| Description détaillée: | IGBT 600V 17A 70W Through Hole TO-220AB |
| Courant - Collecteur pulsée (Icm): | 40A |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 17A |
| Email: | [email protected] |
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