HGTP3N60A4D
Modelo do Produto:
HGTP3N60A4D
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
IGBT 600V 17A 70W TO220AB
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
23681 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
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Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):600V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:2.7V @ 15V, 3A
Condição de teste:390V, 3A, 50 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:6ns/73ns
Alternando Energia:37µJ (on), 25µJ (off)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220AB
Série:-
Inversa de tempo de recuperação (trr):29ns
Power - Max:70W
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Outros nomes:HGTP3N60A4D_NL
HGTP3N60A4D_NL-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:-
portão de carga:21nC
Descrição detalhada:IGBT 600V 17A 70W Through Hole TO-220AB
Atual - Collector Pulsada (ICM):40A
Atual - Collector (Ic) (Max):17A
Email:[email protected]

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