FGB40N60SM
FGB40N60SM
Modèle de produit:
FGB40N60SM
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
IGBT 600V 80A 349W D2PAK
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
58795 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
FGB40N60SM.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.3V @ 15V, 40A
Condition de test:400V, 40A, 6 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:12ns/92ns
énergie de commutation:870µJ (on), 260µJ (off)
Package composant fournisseur:TO-263AB (D²PAK)
Séries:-
Puissance - Max:349W
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms:FGB40N60SMDKR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:Field Stop
gate charge:119nC
Description détaillée:IGBT Field Stop 600V 80A 349W Surface Mount TO-263AB (D²PAK)
Courant - Collecteur pulsée (Icm):120A
Courant - Collecteur (Ic) (max):80A
Numéro de pièce de base:FGB40N60
Email:[email protected]

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