FGB20N6S2D
FGB20N6S2D
Modèle de produit:
FGB20N6S2D
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
IGBT 600V 28A 125W TO263AB
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
44228 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
FGB20N6S2D.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.7V @ 15V, 7A
Condition de test:390V, 7A, 25 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:7.7ns/87ns
énergie de commutation:25µJ (on), 58µJ (off)
Package composant fournisseur:TO-263AB
Séries:-
Temps de recouvrement inverse (trr):31ns
Puissance - Max:125W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms:FGB20N6S2D_NL
FGB20N6S2D_NL-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:-
gate charge:30nC
Description détaillée:IGBT 600V 28A 125W Surface Mount TO-263AB
Courant - Collecteur pulsée (Icm):40A
Courant - Collecteur (Ic) (max):28A
Email:[email protected]

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