DMN1032UCB4-7
- Modèle de produit:
- DMN1032UCB4-7
- Fabricant:
- Diodes Incorporated
- La description:
- MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 7040 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- DMN1032UCB4-7.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.2V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±8V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | U-WLB1010-4 |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 26 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max): | 900mW (Ta) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 4-UFBGA, WLBGA |
| Autres noms: | DMN1032UCB4-7DITR |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 21 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 450pF @ 6V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 4.5nC @ 4.5V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 1.8V, 4.5V |
| Tension drain-source (Vdss): | 12V |
| Description détaillée: | N-Channel 12V 4.8A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount U-WLB1010-4 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 4.8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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