DMN1032UCB4-7
- Número de pieza:
- DMN1032UCB4-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descripción:
- MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 7040 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- DMN1032UCB4-7.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| VGS (th) (Max) @Id: | 1.2V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±8V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | U-WLB1010-4 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 26 mOhm @ 1A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo): | 900mW (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 4-UFBGA, WLBGA |
| Otros nombres: | DMN1032UCB4-7DITR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 21 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 450pF @ 6V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 4.5nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 12V |
| Descripción detallada: | N-Channel 12V 4.8A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount U-WLB1010-4 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 4.8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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