AS4C8M16S-6BINTR
- Modèle de produit:
- AS4C8M16S-6BINTR
- Fabricant:
- Alliance Memory, Inc.
- La description:
- IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 31085 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- AS4C8M16S-6BINTR.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page: | 2ns |
| Tension - Alimentation: | 3 V ~ 3.6 V |
| La technologie: | SDRAM |
| Package composant fournisseur: | 54-TFBGA (8x8) |
| Séries: | - |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 54-TFBGA |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Type de mémoire: | Volatile |
| Taille mémoire: | 128Mb (8M x 16) |
| Interface mémoire: | Parallel |
| Format de mémoire: | DRAM |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée: | SDRAM Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 166MHz 5ns 54-TFBGA (8x8) |
| Fréquence d'horloge: | 166MHz |
| Temps d'accès: | 5ns |
| Email: | [email protected] |
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