AS4C8M16S-6BINTR
- Modello di prodotti:
- AS4C8M16S-6BINTR
- fabbricante:
- Alliance Memory, Inc.
- Descrizione:
- IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 31085 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- AS4C8M16S-6BINTR.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina: | 2ns |
| Tensione di alimentazione -: | 3 V ~ 3.6 V |
| Tecnologia: | SDRAM |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 54-TFBGA (8x8) |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 54-TFBGA |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria: | Volatile |
| Dimensione della memoria: | 128Mb (8M x 16) |
| Interfaccia di memoria: | Parallel |
| Formato di memoria: | DRAM |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata: | SDRAM Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 166MHz 5ns 54-TFBGA (8x8) |
| Frequenza dell'orologio: | 166MHz |
| Tempo di accesso: | 5ns |
| Email: | [email protected] |
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