70T633S10BCI
70T633S10BCI
Modèle de produit:
70T633S10BCI
Fabricant:
IDT (Integrated Device Technology)
La description:
IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
État sans plomb / État RoHS:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
quantité disponible:
6379 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1.70T633S10BCI.pdf2.70T633S10BCI.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Écrire le temps de cycle - Word, Page:10ns
Tension - Alimentation:2.4 V ~ 2.6 V
La technologie:SRAM - Dual Port, Asynchronous
Package composant fournisseur:256-CABGA (17x17)
Séries:-
Emballage:Tray
Package / Boîte:256-LBGA
Autres noms:IDT70T633S10BCI
IDT70T633S10BCI-ND
Température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Type de mémoire:Volatile
Taille mémoire:9Mb (512K x 18)
Interface mémoire:Parallel
Format de mémoire:SRAM
Délai de livraison standard du fabricant:10 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Description détaillée:SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 9Mb (512K x 18) Parallel 10ns 256-CABGA (17x17)
Numéro de pièce de base:IDT70T633
Temps d'accès:10ns
Email:[email protected]

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