70T633S10BCI
- Modelo do Produto:
- 70T633S10BCI
- Fabricante:
- IDT (Integrated Device Technology)
- Descrição:
- IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Contém chumbo / RoHS não compatível
- Quantidade disponível:
- 6379 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de dados:
- 1.70T633S10BCI.pdf2.70T633S10BCI.pdf
Introdução
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Especificações
| Condição | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página: | 10ns |
| Tensão - Fornecimento: | 2.4 V ~ 2.6 V |
| Tecnologia: | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 256-CABGA (17x17) |
| Série: | - |
| Embalagem: | Tray |
| Caixa / Gabinete: | 256-LBGA |
| Outros nomes: | IDT70T633S10BCI IDT70T633S10BCI-ND |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memória: | Volatile |
| Tamanho da memória: | 9Mb (512K x 18) |
| Interface de memória: | Parallel |
| Formato de memória: | SRAM |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 10 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Descrição detalhada: | SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 9Mb (512K x 18) Parallel 10ns 256-CABGA (17x17) |
| Número da peça base: | IDT70T633 |
| Tempo de acesso: | 10ns |
| Email: | [email protected] |
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