2SC6076(TE16L1,NV)
- Modèle de produit:
- 2SC6076(TE16L1,NV)
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- La description:
- TRANS NPN 80V 3A PW MOLD
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 79785 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- 2SC6076(TE16L1,NV).pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 80V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 500mV @ 100mA, 1A |
| Transistor Type: | NPN |
| Package composant fournisseur: | PW-MOLD |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 10W |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Autres noms: | 2SC6076 (TE16L1,NV) 2SC6076(TE16L1NV) 2SC6076(TE16L1NV)-ND 2SC6076(TE16L1NV)TR 2SC6076TE16L1NV |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | 150MHz |
| Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 3A 150MHz 10W Surface Mount PW-MOLD |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 180 @ 500mA, 2V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 1µA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 3A |
| Email: | [email protected] |
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