2SA1930(LBS2MATQ,M
- Modèle de produit:
- 2SA1930(LBS2MATQ,M
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- La description:
- TRANS PNP 2A 180V TO220-3
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 7518 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- 2SA1930(LBS2MATQ,M.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 180V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 1V @ 100mA, 1A |
| Transistor Type: | PNP |
| Package composant fournisseur: | TO-220NIS |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 2W |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | TO-220-3 Full Pack |
| Autres noms: | 2SA1930(LBS2MATQM 2SA1930LBS2MATQM |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | 200MHz |
| Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 180V 2A 200MHz 2W Through Hole TO-220NIS |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 100 @ 100mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 5µA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 2A |
| Email: | [email protected] |
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