2SA1930(LBS2MATQ,M
- Modello di prodotti:
- 2SA1930(LBS2MATQ,M
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrizione:
- TRANS PNP 2A 180V TO220-3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 7518 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- 2SA1930(LBS2MATQ,M.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 180V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 1V @ 100mA, 1A |
| Tipo transistor: | PNP |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220NIS |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 2W |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 Full Pack |
| Altri nomi: | 2SA1930(LBS2MATQM 2SA1930LBS2MATQM |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione: | 200MHz |
| Descrizione dettagliata: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 180V 2A 200MHz 2W Through Hole TO-220NIS |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 100 @ 100mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 5µA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 2A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per 2SA1930(LBS2MATQ,M
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