1SS367,H3F
- Modèle de produit:
- 1SS367,H3F
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- La description:
- DIODE SCHOTTKY 10V 100MA SC76
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 37990 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- 1SS367,H3F.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 500mV @ 100mA |
| Tension - inverse (Vr) (max): | 10V |
| La vitesse: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Séries: | - |
| Emballage: | Original-Reel® |
| Package / Boîte: | SC-76, SOD-323 |
| Autres noms: | 1SS367H3FDKR 1SS367TPH3FDKR 1SS367TPH3FDKR-ND |
| Température d'utilisation - Jonction: | 125°C (Max) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 10 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type de diode: | Schottky |
| Description détaillée: | Diode Schottky 10V 100mA Surface Mount |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 20µA @ 10V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io): | 100mA |
| Capacité à Vr, F: | 40pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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