1SS367,H3F
- Número de pieza:
- 1SS367,H3F
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descripción:
- DIODE SCHOTTKY 10V 100MA SC76
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 37990 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- 1SS367,H3F.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 500mV @ 100mA |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 10V |
| Velocidad: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Serie: | - |
| embalaje: | Original-Reel® |
| Paquete / Cubierta: | SC-76, SOD-323 |
| Otros nombres: | 1SS367H3FDKR 1SS367TPH3FDKR 1SS367TPH3FDKR-ND |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | 125°C (Max) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo: | Schottky |
| Descripción detallada: | Diode Schottky 10V 100mA Surface Mount |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 20µA @ 10V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 100mA |
| Capacitancia Vr, F: | 40pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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