1N8035-GA
1N8035-GA
Modèle de produit:
1N8035-GA
Fabricant:
GeneSiC Semiconductor
La description:
DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276
État sans plomb / État RoHS:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
quantité disponible:
22791 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1N8035-GA.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tension - directe (Vf) (max) @ Si:1.5V @ 15A
Tension - inverse (Vr) (max):650V
Package composant fournisseur:TO-276
La vitesse:No Recovery Time > 500mA (Io)
Séries:-
Temps de recouvrement inverse (trr):0ns
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-276AA
Autres noms:1242-1122
1N8035GA
Température d'utilisation - Jonction:-55°C ~ 250°C
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:18 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Type de diode:Silicon Carbide Schottky
Description détaillée:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 14.6A (DC) Surface Mount TO-276
Courant - fuite, inverse à Vr:5µA @ 650V
Courant - Rectifié moyenne (Io):14.6A (DC)
Capacité à Vr, F:1107pF @ 1V, 1MHz
Numéro de pièce de base:1N8035
Email:[email protected]

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