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WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, es la empresa conjunta global entre NXP Semiconductors N.V. y Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors se inauguró oficialmente el 19 de enero de 2016 con el centro de negocios y operaciones ubicado en Shanghai, China. WeEn Semiconductors está registrada en la ciudad de Nanchang, que es la capital de la provincia de Jiangxi, China. Es propietaria total de subsidiarias y sucursales en la ciudad de Jilin para la producción bipolar, en Shanghai y el Reino Unido para I + D y soporte de producción, en Hong Kong para actividades de ventas y en muchos otros países para ventas y servicios al cliente, respectivamente.
Como actor clave en la industria de semiconductores, WeEn combina la avanzada tecnología de energía bipolar y el fuerte recurso de JAC Capital en la industria manufacturera y los canales de distribución chinos, para centrarse en el desarrollo de una cartera completa de productos de energía bipolar líderes en la industria, incluidos los rectificadores controlados por silicio. diodos de potencia, transistores de alto voltaje, carburo de silicio que se utilizan ampliamente en los mercados de automóviles, telecomunicaciones, computadoras y electrónica de consumo, electrodomésticos inteligentes, iluminación y administración de energía. El objetivo es ayudar a los clientes a lograr una mayor eficiencia en los costos y la producción y contribuir al desarrollo de China y la fabricación inteligente global.
La cartera de productos de la División Bi-Polar de NXP (diodos, tiristores y transistores) se ha transferido a WeEn Semiconductors (19 de enero de 2017).
Imagen Número de pieza Descripción Ver
BUJ302AX,127 Image BUJ302AX,127 TRANS NPN 400V 4A TO-220F Investigación
BTA208-600D,127 Image BTA208-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 8A TO220AB Investigación
PMDPB760ENX MOSFET AXIAL Investigación
BTA316X-800C,127 Image BTA316X-800C,127 TRIAC 800V 16A TO220-3 Investigación
EC103D1,412 Image EC103D1,412 THYRISTOR GATE 400V 0.8A TO92 Investigación
BTA204W-800C,135 Image BTA204W-800C,135 TRIAC 800V 1A SC73 Investigación
BTA212-600D,127 Image BTA212-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220AB Investigación
OT391,412 Image OT391,412 TRIAC TO92-3 Investigación
BTA316B-600B,118 Image BTA316B-600B,118 TRIAC 600V 16A D2PAK Investigación
BYC8-600P,127 Image BYC8-600P,127 DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC Investigación
BT131-600E,412 Image BT131-600E,412 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Investigación
BTA206X-800CT/L03Q BTA206X-800CT/L03/TO-220F/STAN Investigación
BTA310-800D,127 Image BTA310-800D,127 TRIAC SENS GATE 800V 10A TO220AB Investigación
PHE13003C,412 Image PHE13003C,412 TRANS NPN 400V 1.5A SOT54 Investigación
BT137-800,127 Image BT137-800,127 TRIAC 800V 8A TO220AB Investigación
BTA216X-600E,127 Image BTA216X-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 16A TO220-3 Investigación
ACT108-600E,412 Image ACT108-600E,412 TRIAC SENS GATE 600V 0.8A TO92-3 Investigación
OT412,115 Image OT412,115 TRIAC SC73 Investigación
PHE13003A,412 Image PHE13003A,412 TRANS NPN 400V 1A SOT54 Investigación
BTA316X-800B/L01,1 Image BTA316X-800B/L01,1 TRIAC 800V 16A TO220F Investigación
BT136-600D,127 Image BT136-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 4A TO220AB Investigación
TYN16-600CT,127 Image TYN16-600CT,127 IC SCR 16A 600V TO220AB Investigación
BTA204X-800C/L03Q BTA204X-800C/L03/TO-220F/STAND Investigación
BT138X-800,127 Image BT138X-800,127 TRIAC 800V 12A TO220-3 Investigación
ACTT6X-800E,127 Image ACTT6X-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 6A TO-220F Investigación
BTA208X-800B/L02Q BTA208X-800B/L02/TO-220F/STAND Investigación
BTA312Y-800C,127 TRIAC 800V 12A TO220AB Investigación
OT411,127 Image OT411,127 TRIAC TO220-3 Investigación
BTA312B-600B,118 Image BTA312B-600B,118 TRIAC 600V 12A D2PAK Investigación
BYC10X-600PQ Image BYC10X-600PQ DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F Investigación
BT138X-800F,127 Image BT138X-800F,127 TRIAC 800V 12A TO220-3 Investigación
NURS360BJ Image NURS360BJ DIODE GEN PURP 600V 3A SOD132 Investigación
BT139B-800E,118 Image BT139B-800E,118 TRIAC SENS GATE 800V 16A D2PAK Investigación
BUJ100LR,412 Image BUJ100LR,412 TRANS NPN 400V 1A TO-92 Investigación
ACTT10-800CQ Image ACTT10-800CQ TRIAC 800V 10A TO-220AB Investigación
BTA410-800ET,127 Image BTA410-800ET,127 TRIAC SENS GATE 800V 10A TO220AB Investigación
BYV42G-200,127 Image BYV42G-200,127 DIODE ARRAY GP 200V 30A I2PAK Investigación
BTA316-800B,127 Image BTA316-800B,127 TRIAC 800V 16A TO220AB Investigación
OT407,116 Image OT407,116 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Investigación
BYC15X-600PQ Image BYC15X-600PQ DIODE GEN PURP 600V 15A TO220F Investigación
BTA212X-600B,127 Image BTA212X-600B,127 TRIAC 600V 12A TO220-3 Investigación
BTA202X-600E,127 Image BTA202X-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 2A TO220-3 Investigación
BT152X-600R,127 Image BT152X-600R,127 THYRISTOR 650V 20A SOT186A Investigación
BT134-600G,127 Image BT134-600G,127 TRIAC 600V 4A SOT82-3 Investigación
BTA410X-800ET,127 Image BTA410X-800ET,127 TRIAC SENS GATE 800V 10A TO220F Investigación
BT138X-600F/L01Q BT138X-600F/L01/TO-220F/STANDA Investigación
BTA316-600ET,127 Image BTA316-600ET,127 TRIAC SENS GATE 600V 16A TO220AB Investigación
BTA208-600F,127 Image BTA208-600F,127 TRIAC 600V 8A TO220AB Investigación
Z0103NN,135 Image Z0103NN,135 TRIAC SENS GATE 800V 1A SC73 Investigación
BT300S-600R,118 Image BT300S-600R,118 THYRISTOR 8A 600V DPAK Investigación
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