W979H6KBVX2E TR
- Número de pieza:
- W979H6KBVX2E TR
- Fabricante:
- Winbond Electronics Corporation
- Descripción:
- IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 60022 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- W979H6KBVX2E TR.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | 15ns |
| Suministro de voltaje: | 1.14 V ~ 1.95 V |
| Tecnología: | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
| Paquete del dispositivo: | 134-VFBGA (10x11.5) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 134-VFBGA |
| Otros nombres: | W979H6KBVX2E TR-ND W979H6KBVX2ETR |
| Temperatura de funcionamiento: | -25°C ~ 85°C (TC) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria: | Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 512Mb (32M x 16) |
| Interfaz de memoria: | Parallel |
| Formato de memoria: | DRAM |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada: | SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 400MHz 134-VFBGA (10x11.5) |
| Frecuencia de reloj: | 400MHz |
| Email: | [email protected] |
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