W979H6KBVX2E TR
- Artikelnummer:
- W979H6KBVX2E TR
- Hersteller:
- Winbond Electronics Corporation
- Beschreibung:
- IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 60022 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- W979H6KBVX2E TR.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | 15ns |
| Spannungsversorgung: | 1.14 V ~ 1.95 V |
| Technologie: | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
| Supplier Device-Gehäuse: | 134-VFBGA (10x11.5) |
| Serie: | - |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 134-VFBGA |
| Andere Namen: | W979H6KBVX2E TR-ND W979H6KBVX2ETR |
| Betriebstemperatur: | -25°C ~ 85°C (TC) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Speichertyp: | Volatile |
| Speichergröße: | 512Mb (32M x 16) |
| Speicherschnittstelle: | Parallel |
| Speicherformat: | DRAM |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| detaillierte Beschreibung: | SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 400MHz 134-VFBGA (10x11.5) |
| Uhrfrequenz: | 400MHz |
| Email: | [email protected] |
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