TPC6110(TE85L,F,M)
- Número de pieza:
- TPC6110(TE85L,F,M)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descripción:
- MOSFET P-CH 30V 4.5A VS6
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 23933 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- 1.TPC6110(TE85L,F,M).pdf2.TPC6110(TE85L,F,M).pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| VGS (th) (Max) @Id: | 2V @ 100µA |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | VS-6 (2.9x2.8) |
| Serie: | U-MOSVI |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 56 mOhm @ 2.2A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 700mW (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Otros nombres: | TPC6110(TE85LFM) TPC6110TE85LFM |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 510pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 14nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción detallada: | P-Channel 30V 4.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-6 (2.9x2.8) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 4.5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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