Condición | New & Unused, Original Packing |
---|---|
Origen | Contact us |
VGS (th) (Max) @Id: | 1V @ 100µA |
Vgs (Max): | ±10V |
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | VESM |
Serie: | U-MOSIII |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V |
La disipación de energía (máximo): | 500mW (Ta) |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta: | SOT-723 |
Otros nombres: | SSM3K35AMFV,L3F(B SSM3K35AMFV,L3F(T SSM3K35AMFVL3F(B SSM3K35AMFVL3F(T SSM3K35AMFVL3FTR |
Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 36pF @ 10V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 0.34nC @ 4.5V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 1.2V, 4.5V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
Descripción detallada: | N-Channel 20V 250mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount VESM |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 250mA (Ta) |
Email: | [email protected] |