SSM3K35AMFV,L3F
- Modello di prodotti:
- SSM3K35AMFV,L3F
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrizione:
- SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 7667 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- SSM3K35AMFV,L3F.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 100µA |
| Vgs (Max): | ±10V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | VESM |
| Serie: | U-MOSIII |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 500mW (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-723 |
| Altri nomi: | SSM3K35AMFV,L3F(B SSM3K35AMFV,L3F(T SSM3K35AMFVL3F(B SSM3K35AMFVL3F(T SSM3K35AMFVL3FTR |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 36pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 0.34nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 1.2V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 20V 250mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount VESM |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 250mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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