SI1025X-T1-GE3
- Número de pieza:
- SI1025X-T1-GE3
- Fabricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descripción:
- MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 27088 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- SI1025X-T1-GE3.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| VGS (th) (Max) @Id: | 3V @ 250µA |
| Paquete del dispositivo: | SC-89-6 |
| Serie: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 4 Ohm @ 500mA, 10V |
| Potencia - Max: | 250mW |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SOT-563, SOT-666 |
| Otros nombres: | SI1025X-T1-GE3TR SI1025XT1GE3 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 33 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 23pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 1.7nC @ 15V |
| Tipo FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| Característica de FET: | Logic Level Gate |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 60V |
| Descripción detallada: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 190mA 250mW Surface Mount SC-89-6 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 190mA |
| Número de pieza base: | SI1025 |
| Email: | [email protected] |
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