SI1025X-T1-GE3
- Artikelnummer:
- SI1025X-T1-GE3
- Hersteller:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Beschreibung:
- MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 27088 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- SI1025X-T1-GE3.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
| Supplier Device-Gehäuse: | SC-89-6 |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 4 Ohm @ 500mA, 10V |
| Leistung - max: | 250mW |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | SOT-563, SOT-666 |
| Andere Namen: | SI1025X-T1-GE3TR SI1025XT1GE3 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 33 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 23pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.7nC @ 15V |
| Typ FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Merkmal: | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 60V |
| detaillierte Beschreibung: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 190mA 250mW Surface Mount SC-89-6 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 190mA |
| Basisteilenummer: | SI1025 |
| Email: | [email protected] |
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