RS3E135BNGZETB
- Número de pieza:
- RS3E135BNGZETB
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 6168 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- RS3E135BNGZETB.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.5V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 8-SOP |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 14.6 mOhm @ 9.5A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 2W (Tc) |
| embalaje: | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres: | RS3E135BNGZETBCT |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 680pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 8.3nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción detallada: | N-Channel 30V 9.5A (Ta) 2W (Tc) Surface Mount 8-SOP |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 9.5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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