RS3E135BNGZETB
- Modello di prodotti:
- RS3E135BNGZETB
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 6168 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- RS3E135BNGZETB.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SOP |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 14.6 mOhm @ 9.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2W (Tc) |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi: | RS3E135BNGZETBCT |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 680pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 8.3nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 30V 9.5A (Ta) 2W (Tc) Surface Mount 8-SOP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 9.5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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