QS8M51TR
QS8M51TR
Número de pieza:
QS8M51TR
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
28490 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
1.QS8M51TR.pdf2.QS8M51TR.pdf

Introducción

We can supply QS8M51TR, use the request quote form to request QS8M51TR pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number QS8M51TR.The price and lead time for QS8M51TR depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# QS8M51TR.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Especificaciones

Condición New & Unused, Original Packing
Origen Contact us
VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 1mA
Paquete del dispositivo:TSMT8
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:325 mOhm @ 2A, 10V
Potencia - Max:1.5W
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:8-SMD, Flat Lead
Otros nombres:QS8M51CT
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:290pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:4.7nC @ 5V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica de FET:Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción detallada:Mosfet Array N and P-Channel 100V 2A, 1.5A 1.5W Surface Mount TSMT8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2A, 1.5A
Número de pieza base:*M51
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios