QS8M13TCR
- Número de pieza:
- QS8M13TCR
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 7909 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- QS8M13TCR.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.5V @ 1mA |
| Paquete del dispositivo: | TSMT8 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 28 mOhm @ 6A, 10V |
| Potencia - Max: | 1.5W |
| embalaje: | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta: | 8-SMD, Flat Lead |
| Otros nombres: | QS8M13TCRCT |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 390pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 5.5nC @ 5V |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Característica de FET: | Logic Level Gate |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción detallada: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 6A, 5A 1.5W Surface Mount TSMT8 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 6A, 5A |
| Número de pieza base: | *M13 |
| Email: | [email protected] |
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