JANTXV2N6766T1
- Número de pieza:
- JANTXV2N6766T1
- Fabricante:
- Microsemi
- Descripción:
- MOSFET N-CH
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 15451 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- JANTXV2N6766T1.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-254AA |
| Serie: | Military, MIL-PRF-19500/543 |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 90 mOhm @ 30A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 4W (Ta), 150W (Tc) |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) |
| Otros nombres: | JANTXV2N6766T1-MIL |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 115nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 200V |
| Descripción detallada: | N-Channel 200V 30A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-254AA |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 30A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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