JANTXV2N6766T1
- Modello di prodotti:
- JANTXV2N6766T1
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- MOSFET N-CH
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 15451 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- JANTXV2N6766T1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-254AA |
| Serie: | Military, MIL-PRF-19500/543 |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 90 mOhm @ 30A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 4W (Ta), 150W (Tc) |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) |
| Altri nomi: | JANTXV2N6766T1-MIL |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 115nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 200V 30A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-254AA |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 30A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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