IPI65R190CFDXKSA1
- Número de pieza:
- IPI65R190CFDXKSA1
- Descripción:
- MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 12644 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- IPI65R190CFDXKSA1.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| VGS (th) (Max) @Id: | 4.5V @ 730µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PG-TO262-3 |
| Serie: | CoolMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 190 mOhm @ 7.3A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 151W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Otros nombres: | IPI65R190CFD IPI65R190CFD-ND SP000905386 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1850pF @ 100V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 68nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 650V |
| Descripción detallada: | N-Channel 650V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 17.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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