IPI041N12N3GAKSA1
- Número de pieza:
- IPI041N12N3GAKSA1
- Descripción:
- MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 10521 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- IPI041N12N3GAKSA1.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 270µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PG-TO262-3 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 4.1 mOhm @ 100A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 300W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Otros nombres: | IPI041N12N3 G IPI041N12N3 G-ND IPI041N12N3G SP000652748 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 13800pF @ 60V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 211nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 120V |
| Descripción detallada: | N-Channel 120V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 120A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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