FDB9503L-F085
- Número de pieza:
- FDB9503L-F085
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET P-CH 40V 110A D2PAK
- Cantidad disponible:
- 62126 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- FDB9503L-F085.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| VGS (th) (Max) @Id: | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±16V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | D²PAK (TO-263AB) |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 2.6 mOhm @ 80A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 333W (Tj) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Otros nombres: | FDB9503L_F085 FDB9503L_F085-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 52 Weeks |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 8320pF @ 20V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 255nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 40V |
| Descripción detallada: | P-Channel 40V 110A (Tc) 333W (Tj) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 110A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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