FDB9503L-F085
FDB9503L-F085
Modelo do Produto:
FDB9503L-F085
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 40V 110A D2PAK
Quantidade disponível:
62126 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
FDB9503L-F085.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±16V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:D²PAK (TO-263AB)
Série:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:2.6 mOhm @ 80A, 10V
Dissipação de energia (Max):333W (Tj)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes:FDB9503L_F085
FDB9503L_F085-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Tempo de entrega padrão do fabricante:52 Weeks
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:8320pF @ 20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:255nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):40V
Descrição detalhada:P-Channel 40V 110A (Tc) 333W (Tj) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:110A (Tc)
Email:[email protected]

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