CUHS10F60,H3F
- Número de pieza:
- CUHS10F60,H3F
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descripción:
- SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 14127 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- CUHS10F60,H3F.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 60V |
| Paquete del dispositivo: | US2H |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta: | 2-SMD, Flat Lead |
| Otros nombres: | CUHS10F60H3FCT |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | 150°C (Max) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 12 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo: | Schottky |
| Descripción detallada: | Diode Schottky 60V 1A Surface Mount US2H |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 40µA @ 60V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 1A |
| Capacitancia Vr, F: | 130pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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