CUHS10F60,H3F
- Artikelnummer:
- CUHS10F60,H3F
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Beschreibung:
- SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 14127 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- CUHS10F60,H3F.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannung - Sperr (Vr) (max): | 60V |
| Supplier Device-Gehäuse: | US2H |
| Geschwindigkeit: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Verpackung: | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse: | 2-SMD, Flat Lead |
| Andere Namen: | CUHS10F60H3FCT |
| Betriebstemperatur - Anschluss: | 150°C (Max) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 12 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diodentyp: | Schottky |
| detaillierte Beschreibung: | Diode Schottky 60V 1A Surface Mount US2H |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr: | 40µA @ 60V |
| Strom - Richt (Io): | 1A |
| Kapazität @ Vr, F: | 130pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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