BSP149 E6327
- Número de pieza:
- BSP149 E6327
- Descripción:
- MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 40815 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- BSP149 E6327.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| VGS (th) (Max) @Id: | 1V @ 400µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PG-SOT223-4 |
| Serie: | SIPMOS® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 1.8 Ohm @ 660mA, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 1.8W (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-261-4, TO-261AA |
| Otros nombres: | BSP149 E6327-ND BSP149E6327 BSP149E6327T SP000011104 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 430pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 14nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | Depletion Mode |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 0V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 200V |
| Descripción detallada: | N-Channel 200V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 660mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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