BSP149 E6327
- Modello di prodotti:
- BSP149 E6327
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 40815 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- BSP149 E6327.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 400µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-SOT223-4 |
| Serie: | SIPMOS® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 1.8 Ohm @ 660mA, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1.8W (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-261-4, TO-261AA |
| Altri nomi: | BSP149 E6327-ND BSP149E6327 BSP149E6327T SP000011104 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 430pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 14nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | Depletion Mode |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 0V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 200V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 660mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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