BAS516,H3F
- Número de pieza:
- BAS516,H3F
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 8989 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- BAS516,H3F.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.25V @ 150mA |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 100V |
| Paquete del dispositivo: | ESC |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 3ns |
| Paquete / Cubierta: | SC-79, SOD-523 |
| Otros nombres: | BAS516H3F |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | 150°C (Max) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción detallada: | Diode Standard 100V 250mA Surface Mount ESC |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 200nA @ 80V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 250mA |
| Capacitancia Vr, F: | 0.35pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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