BAS516,H3F
Modelo do Produto:
BAS516,H3F
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
8989 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
BAS516,H3F.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:1.25V @ 150mA
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):100V
Embalagem do dispositivo fornecedor:ESC
Velocidade:Fast Recovery = 200mA (Io)
Série:-
Inversa de tempo de recuperação (trr):3ns
Caixa / Gabinete:SC-79, SOD-523
Outros nomes:BAS516H3F
Temperatura de Operação - Junção:150°C (Max)
Tipo de montagem:Surface Mount
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo Diode:Standard
Descrição detalhada:Diode Standard 100V 250mA Surface Mount ESC
Atual - dispersão reversa @ Vr:200nA @ 80V
Atual - rectificada média (Io):250mA
Capacitância @ Vr, F:0.35pF @ 0V, 1MHz
Email:[email protected]

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