1N4446TR
- Número de pieza:
- 1N4446TR
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 46401 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- 1N4446TR.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1V @ 20mA |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 100V |
| Paquete del dispositivo: | DO-35 |
| Velocidad: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 4ns |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | 175°C (Max) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción detallada: | Diode Standard 100V 200mA Through Hole DO-35 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 25nA @ 20V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 200mA |
| Capacitancia Vr, F: | 4pF @ 0V, 1MHz |
| Número de pieza base: | 1N4446 |
| Email: | [email protected] |
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