1N4446TR
- Modelo do Produto:
- 1N4446TR
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrição:
- DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 46401 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de dados:
- 1N4446TR.pdf
Introdução
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Especificações
| Condição | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se: | 1V @ 20mA |
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max): | 100V |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | DO-35 |
| Velocidade: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Série: | - |
| Inversa de tempo de recuperação (trr): | 4ns |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Temperatura de Operação - Junção: | 175°C (Max) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo Diode: | Standard |
| Descrição detalhada: | Diode Standard 100V 200mA Through Hole DO-35 |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 25nA @ 20V |
| Atual - rectificada média (Io): | 200mA |
| Capacitância @ Vr, F: | 4pF @ 0V, 1MHz |
| Número da peça base: | 1N4446 |
| Email: | [email protected] |
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