VT6Z2T2R
- Artikelnummer:
- VT6Z2T2R
- Hersteller:
- LAPIS Semiconductor
- Beschreibung:
- TRANS NPN/PNP 50V 0.1A 6VMT
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 11813 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- 1.VT6Z2T2R.pdf2.VT6Z2T2R.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 50V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 5mA, 50mA |
| Transistor-Typ: | NPN, PNP |
| Supplier Device-Gehäuse: | VMT6 |
| Serie: | - |
| Leistung - max: | 150mW |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 6-SMD |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 17 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang: | 350MHz |
| detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 100mA 350MHz 150mW Surface Mount VMT6 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 120 @ 1mA, 6V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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